Process Modeling
用自然语言描述半导体工艺步骤,实时生成 3D 结构
Claude
DeepSeek
创建 1×1×0.5 微米硅衬底,顶部沉积 50nm 氧化层
在硅衬底上沿 x 方向刻蚀深 100nm、宽 80nm 的槽
沉积 200nm 多晶硅,然后 CMP 平坦化到 150nm